Scheda progetto

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Dati aggiornati al: 31/08/2016

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Progetto di formazione

Formazione di esperti nella crescita di semiconduttori ad alta gap.

Cod. DM23176 - F

Progetto correlato

Descrizione
Beneficiari
Obiettivi

Ambito/i	Energia
Descrizione	All’interno del laboratorio verrà realizzato un team di formazione ad alto livello, in cui verranno coinvolti docenti di varie università italiane, europee ed extra-europee (essenzialmente Stati Uniti e Giappone), ricercatori industriali interni ed esterni al laboratorio, e che permetterà di formare le quattro figure professionali necessarie per l’ulteriore sviluppo del laboratorio. In questa attività risulterà fondamentale l’attività del consorzio interuniversitario H2CU che individuerà al suo interno o all’esterno gli esperti per la formazione delle figure professionali individuate.La prima figura professionale sarà quella dei progettisti dei reattori epitassiali. Questi dovranno avere, alla fine del percorso formativo, competenze relative alla progettazione meccanica, alla progettazione dei controlli di processo, alla progettazione dei pannelli di distribuzione dei gas e alla progettazione di accoppiamenti tra induttori e camere di reazione. Inoltre verranno fatti dei moduli di formazione sui processi di crescita dei substrati e delle epitassie e sull’utilizzo dei simulatori che verranno sviluppati nel corso del progetto di ricerca per la simulazione dei reattori e dei processi. La secoda figura professionale che si intende formare è quella dei processisti. In questo caso, alla fine del percorso formativo, verranno sviluppate competenze relative ai processi di crescita del carburo di silicio nei diversi reattori sviluppati all’interno del progetto di ricerca, competenze relative all’utilizzo dei precursori e norme relative alla sicurezza nel maneggiamento di tali precursori e relativi sistemi di abbattimento. Inoltre verranno approfonditi i temi che riguardano la simulazione dei processi e che permetteranno di ottimizzare i molteplici parametri dei processi di crescita dei substrati e delle epitassie del carburo di silicio. La terza figura professionale è quella dell’esperto nello sviluppo di modellistica di simulatori di macchine e processi per la crescita di semiconduttori innovativi. In questo caso, alla fine del processo formativo, verranno sviluppate competenze relative ai simulatori di macchine e processi, ai metodi numerici, ai modelli di crescita, alle tecniche di ottimizzazione e parallelizzazione del software e alle interfacce utente e post-processing dei dati. Verranno anche date delle competenze specifiche sui processi di crescita dei semiconduttori innovativi. La quarta figura professionale che verrà formata all’interno di questo progetto di formazione è quella di coloro che dovranno caratterizzare i substrati e le epitassie cresciute nei reattori sviluppati nel progetto di ricerca. Le persone che seguiranno questo processo formativo dovranno raggiungere, alla fine di tale percorso, delle competenze su tutte le tecniche che verranno sviluppate per caratterizzare i substrati e le epitassie di carburo di silicio. In particolare dovranno avere competenze sulla caratterizzazione mediante diffrazione e spettroscopia X, sulla caratterizzazione ottica, elettrica e delle superfici. Tali caratterizzazioni dovranno permettere di ottimizzare i processi di crescita per cui dovranno essere sviluppate anche delle competenze sui processi di crescita dei substrati e delle epitassie. Oltre a queste competenze specifiche le quattro figure professionali seguiranno dei corsi comuni introduttivi al carburo di silicio ed alla tecnologia di crescita, alla progettazione di reattori, alla simulazione dei processi ed alle tecniche di caratterizzazione. Verranno inoltre realizzati dei moduli comuni per quanto riguarda l’organizzazione e gestione aziendale, la gestione dei progetti di ricerca e i temi della qualità e della sicurezza.Il programma di formazione di tutte le figure professionali prevede anche degli stages con affiancamento dei ricercatori impegnati nel progetto di ricerca collegato, in modo da introdurre pienamente i formandi nelle attività di ricerca sviluppate all’interno del laboratorio.
Costo totale	738.556,00 euro
Contributo pubblico		Contributo pubblico totale 738.556,00 euro Contributo ammesso PON R&C 738.556,00 euro Contributo ammesso PAC 0,00 euro
Erogazione	Avanzamento dell'erogazione in %	Importo erogato totale 566.945,29 euro Importo erogato PON R&C 483.483,80 euro Importo erogato PAC 0,00 euro

Legenda

Ambito/i – Indica l'ambito o gli ambiti nei quali il progetto ha la maggiore ricaduta. Un progetto può avere anche più di un ambito. Per alcuni progetti non è assegnato. Gli ambiti sono i seguenti 8: "Salute e benessere", "Alimentazione", "Energia" , "Ambiente e Ecologia", "Trasporti e Logistica", "Beni e attività culturali", "Social Innovation"e "Smart Cities".

Descrizione – Sintesi descrittiva del progetto.

Costo totale – Costo totale del progetto.

Contributo pubblico – Si riportano tre elementi:

Impegno totale – importo totale ammesso al finanziamento, potrebbe comprendere oltre al contributo a valere sul PON R&C, anche su altri fondi.
Contributo ammesso PON R&C
Contributo ammesso PAC
Contributo con altri fondi

Erogazione – Si riportano i seguenti elementi:

Importo erogato totale – tiene conto dell'importo erogato considerando sia l'erogazione PON R&C che su altri fondi se previsti
Importo erogato PON R&C – importo erogato a finanziamento del progetto a valere sul PON R&C
Importo erogato PAC – importo erogato a finanziamento del progetto a valere sul PAC
Importo erogato con altri fondi – importo erogato a finanziamento del progetto con altri fondi

Le erogazioni si riferiscono alla data di aggiornamento indicata in alto.

Tipologia Beneficiari

Impegno pubblico per beneficiario

Università	1
Ente pubblico di ricerca	1
Media Impresa	1
Totale beneficiari	3

Centro Interuniversitario di Formazione Internazionale H2CU - SAPIENZA Università di Roma

Codice Fiscale: 80209930587
CUP: B68F06000100007
Localizzazione degli impegni finanziari: Sicilia

Tipologia: Università

vedi scheda beneficiario >

Data presentazione	-
Data approvazione	31/10/2006
Inizio attività	Data prevista -	Data effettiva 20/10/2006
Fine attività	Data prevista -	Data effettiva 19/12/2009
Costo totale	288.646,00 euro
Contributo pubblico	Totale 288.646,00 euro	Ammesso PON R&C 288.646,00 euro
Erogazioni	Totale 259.781,40 euro	Importo PON R&C 229.145,54 euro Data ultima erogazione PON R&C 11/11/2013

CNR Sede Centrale

Codice Fiscale: 80054330586
CUP: B68F06000060007
Localizzazione degli impegni finanziari: Sicilia

Tipologia: Ente pubblico di ricerca

vedi scheda beneficiario >

Data presentazione	-
Data approvazione	31/10/2006
Inizio attività	Data prevista -	Data effettiva 20/10/2006
Fine attività	Data prevista -	Data effettiva 19/12/2009
Costo totale	164.914,00 euro
Contributo pubblico	Totale 164.914,00 euro	Ammesso PON R&C 164.914,00 euro
Erogazioni	Totale 153.459,10 euro	Importo PON R&C 105.275,19 euro Data ultima erogazione PON R&C 11/11/2013

ETC Epitaxial technology Center S.r.l.

Codice Fiscale: 03047580877
CUP: B68F06000050007
Localizzazione degli impegni finanziari: Sicilia

Tipologia: Media Impresa

vedi scheda beneficiario >

Data presentazione	-
Data approvazione	31/10/2006
Inizio attività	Data prevista -	Data effettiva 20/10/2006
Fine attività	Data prevista -	Data effettiva 19/12/2009
Costo totale	284.996,00 euro
Contributo pubblico	Totale 284.996,00 euro	Ammesso PON R&C 284.996,00 euro
Erogazioni	Totale 153.704,79 euro	Importo PON R&C 149.063,07 euro Data ultima erogazione PON R&C 11/11/2013

Asse - Obiettivo operativo	I - Reti per il rafforzamento del potenziale scientifico-tecnologico delle Regioni della Convergenza (vai alla pagina)
Azione	Laboratori pubblico–privati e relative reti
Linea d'intervento	Completamento programmazione 2000-2006 (vai alla scheda)
Strumento di attuazione	Bando Laboratori pubblico-privati (D.D. 602/Ric del 14/03/05 ex art.12 DM 593/00)
QSN Obiettivo	Rafforzare e valorizzare l'intera filiera della ricerca e le reti di cooperazione tra il sistema della ricerca e le imprese, per contribuire alla competitività e alla crescita economica;sostenere la massima diffusione e utilizzo di nuove tecnologie e servizi avanzati; innalzare il livello delle competenze e conoscenze scientifiche e tecniche nel sistema produttivo e nelle Istituzioni